SI7956DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7956DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.20 |
10+ | $2.876 |
100+ | $2.3564 |
500+ | $2.0059 |
1000+ | $1.6918 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 4.1A, 10V |
Leistung - max | 1.4W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.6A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI7956 |
SI7956DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7956DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
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SI7949DP VISHAY
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
![]() SI7956DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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